三星正在开发一种新的芯片封装技术，以防止应用处理器（AP）过热。消息人士称，该封装在SoC顶部附加一个热路径块（HPB），预计将用于未来的Exynos芯片。
该技术的全名是FOWLP（扇出晶圆级封装）-HPB，由三星芯片部门下的高级封装（AVP）业务部门开发，计划第四季度完成开发，然后开始批量生产。
作为后续产品，三星团队还在开发一种可以安装多个芯片的FOWLP系统级封装（SIP）技术，将于2025年第四季度推出。
两种封装类型都将HPB安装在SoC顶部，而存储器则放在HPB旁边。
HPB是一种散热器，已用于服务器和PC的SoC。由于智能手机的体积较小，该技术目前才被引入智能手机芯片应用中。
如今的智能手机大多使用蒸汽室来容纳制冷剂，以冷却AP和其他核心组件。HPB仅用于SoC。三星正在考虑采用2.5D或3D封装来采用该技术。
端侧人工智能（AI）的日益普及也增加了人们对AP过热的担忧。
两年前，三星因Galaxy S22系列智能手机的过热问题而受到严厉批评。三星试图通过其游戏优化服务（GOS）应用程序来防止这种情况发生，该应用迫使AP降低其性能以防止其过热，但三星却没有告知用户。三星通过改变AP设计并在后续型号上采用蒸汽室来改善这个问题。
